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NTMFD4901NF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
FET
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE
Q1
1150
Input Capacitance
Q2
Q1
C ISS
2950
360
Output Capacitance
Q2
C OSS
V GS = 0 V, f = 1 MHz, V DS = 15 V
1100
pF
Q1
105
Reverse Capacitance
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
C RSS
Q G(TOT)
Q G(TH)
82
9.7
20
1.1
2.7
Q1
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V; I D = 10 A
3.3
nC
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Q2
Q1
Q2
Q1
Q GS
Q GD
7.3
3.7
5.3
19.1
Total Gate Charge
Q2
Q G(TOT)
V GS = 10 V, V DS = 15 V; I D = 10 A
42.7
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Q1
9.0
Turn?On Delay Time
Q2
Q1
t d(ON)
14
15
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Q2
Q1
Q2
t r
t d(OFF)
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V,
I D = 10 A, R G = 3.0 W
16
14
25
ns
Q1
4.0
Fall Time
Q2
t f
7.0
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Q1
6.0
Turn?On Delay Time
Q2
Q1
t d(ON)
10
14
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Q2
Q1
Q2
t r
t d(OFF)
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 10 A, R G = 3.0 W
15
17
32
ns
Q1
3.0
Fall Time
Q2
t f
5.0
5. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
4
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